温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP180N03T
1个N沟道 耐压:30V 电流:180A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP180N03T
- 商品编号
- C3011293
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 187W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 525pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
AP80N04D采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40V，漏极电流（ID） = 80A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)） < 7.5 mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源