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AP65N04DF
N沟道 耐压:40V 电流:65A
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- 描述
- AP65N04DF采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于不间断电源。
- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP65N04DF
- 商品编号
- C3011303
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AP10N04S采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V,ID = 65 A
- 当VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ(典型值:8.0 mΩ)
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源