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NP60N03QR
1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- NP60N03QR采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。
- 品牌名称
- natlinear(南麟)
- 商品型号
- NP60N03QR
- 商品编号
- C2991145
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.089克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.161nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 261pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 308pF |
商品特性
- 当栅源电压VGS为 - 10 V、漏极电流ID为 - 2.5 A时，导通电阻RDS(ON) < 110 mΩ
- 当栅源电压VGS为 - 4.5 V、漏极电流ID为 - 1.5 A时，导通电阻RDS(ON) < 130 mΩ
- 先进沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料