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CY62256LL-55ZXE实物图
  • CY62256LL-55ZXE商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62256LL-55ZXE

CY62256LL-55ZXE

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商品型号
CY62256LL-55ZXE
商品编号
C2956447
商品封装
TSSOP-28​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压4.5V~5.5V
属性参数值
读写时间55ns
工作温度-40℃~+125℃
工作电流50mA

商品概述

CY62256是一款高性能CMOS静态RAM,组织形式为32K字×8位。通过低电平有效芯片使能(CE)、低电平有效输出使能(OE)和三态驱动器实现轻松的内存扩展。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低99.9%。低电平有效写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上地址指定的存储位置。读取器件时,选中器件并使输出使能,CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非芯片被选中、输出使能且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚保持高阻态。

商品特性

  • 高速:55 ns
  • 温度范围:商用0℃至70℃;工业级 -40℃至85℃;汽车级 -40℃至125℃
  • 电压范围:4.5V - 5.5V
  • 低工作功率和待机功率
  • 通过CE和OE功能实现轻松的内存扩展
  • TTL兼容输入和输出
  • 未选中时自动掉电
  • 采用CMOS以实现最佳速度/功率比
  • 提供无铅和含铅标准28引脚窄体SOIC、28引脚TSOP - 1、28引脚反向TSOP - 1和28引脚DIP封装

数据手册PDF