CY62256L-70ZCT
CY62256L-70ZCT
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- 商品型号
- CY62256L-70ZCT
- 商品编号
- C2956450
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为32,768字×8位。通过低电平有效的芯片使能(CE)、低电平有效的输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现存储器扩展。该器件具有自动掉电功能,在未选中时可将功耗降低99.9%。CY62256采用标准的450密耳宽(300密耳主体宽度)SOIC、TSOP和600密耳PDIP封装。低电平有效的写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上的地址所指定的存储位置。读取器件时,选中器件并使能输出,CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚上的信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚保持高阻态。
商品特性
- 操作电压范围 4.5V 至 5.5V
- 低工作功耗(70 ns,LL 版本)最大 275 mW
- 低待机功耗(70 ns,LL 版本)最大 28 μW
- 访问时间 55 ns 和 70 ns
- 通过片选和输出使能功能轻松扩展内存
- TTL 兼容输入和输出
- 取消选择时自动断电
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