CY62256L-70ZC
CY62256L-70ZC
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- 商品型号
- CY62256L-70ZC
- 商品编号
- C2956451
- 商品封装
- TSSOP-28
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能 |
商品概述
CY62256是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为32768字×8位。通过低电平有效芯片使能(CE)、低电平有效输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现内存扩展。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低99.9%。CY62256采用标准450密耳宽(300密耳主体宽度)的SOIC、TSOP和600密耳PDIP封装。低电平有效写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上地址所指定的存储位置。读取器件时,需选中器件并使能输出,即CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。
商品特性
- 工作电压范围4.5V至5.5V
- 低工作功耗(70纳秒,LL版本)最大275毫瓦
- 低待机功耗(70纳秒,LL版本)最大28微瓦
- 访问时间为55或70纳秒
- 具备芯片使能和输出使能特性,便于存储器扩展
- 输入和输出与TTL电平兼容
- 未被选中时自动进入低功耗模式
- 采用CMOS工艺,实现速度与功耗的优化
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