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CY62256L-70ZC引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CY62256L-70ZC

CY62256L-70ZC

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商品型号
CY62256L-70ZC
商品编号
C2956451
商品封装
TSSOP-28​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型并口(Parallel)
存储容量256Kbit
工作电压4.5V~5.5V
读写时间70ns
属性参数值
工作温度0℃~+70℃
工作电流50mA
待机电流50uA
功能特性自动掉电功能

商品概述

CY62256是一款高性能CMOS静态随机存取存储器,组织形式为32768字×8位。通过低电平有效芯片使能(CE)、低电平有效输出使能(OE)和三态驱动器,可轻松实现内存扩展。该器件具有自动掉电功能,在未被选中时可将功耗降低99.9%。CY62256采用标准450密耳宽(300密耳主体宽度)的SOIC、TSOP和600密耳PDIP封装。低电平有效写使能信号(WE)控制存储器的读写操作。当CE和WE输入均为低电平时,八个数据输入/输出引脚(I/O₀至I/O₇)上的数据将被写入由地址引脚(A₀至A₁₄)上地址所指定的存储位置。读取器件时,需选中器件并使能输出,即CE和OE为低电平,而WE保持无效或高电平。在这些条件下,地址引脚上信息所指定位置的内容将出现在八个数据输入/输出引脚上。除非选中芯片、使能输出且写使能(WE)为高电平,否则输入/输出引脚将保持高阻态。

商品特性

  • 工作电压范围4.5V至5.5V
  • 低工作功耗(70纳秒,LL版本)最大275毫瓦
  • 低待机功耗(70纳秒,LL版本)最大28微瓦
  • 访问时间为55或70纳秒
  • 具备芯片使能和输出使能特性,便于存储器扩展
  • 输入和输出与TTL电平兼容
  • 未被选中时自动进入低功耗模式
  • 采用CMOS工艺,实现速度与功耗的优化

数据手册PDF