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YJL3139KAE
1个P沟道 耐压:20V 电流:500mA
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- 描述
- 采用沟槽功率低压MOSFET技术。采用高密度单元设计,实现低导通电阻。高速开关
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL3139KAE
- 商品编号
- C2942368
- 商品封装
- SOT-523(SC-75)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 180mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FH3400C采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和用于超低导通电阻的高密度单元设计。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- -20V
- ID: -0.5A
- RDS(ON)(在 VGS=-4.5V 时)< 850毫欧
- RDS(ON)(在 VGS=-2.5V 时)< 1200毫欧
- RDS(ON)(在 VGS=-1.8V 时)< 2000毫欧
- 静电放电(ESD)防护高达2.0KV(人体模型HBM)
应用领域
- 接口、逻辑开关
- 负载开关
- 电源管理