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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

YJL3134KAE

1个N沟道 耐压:20V 电流:0.5A

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描述
采用沟槽功率低压MOSFET技术。具有高功率和电流处理能力
品牌名称
YANGJIE(扬杰)
商品型号
YJL3134KAE
商品编号
C2942390
商品封装
SOT-523​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on))700mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)180mW
阈值电压(Vgs(th))1.1V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1nC@4.5V
输入电容(Ciss)56pF
反向传输电容(Crss)2.5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)20pF

商品概述

WPM3035是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM3035为无铅产品。

商品特性

  • 静电放电(ESD)保护高达2.0KV(人体模型HBM)

应用领域

  • 脉冲宽度调制(PWM)应用
  • 负载开关

数据手册PDF