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YJH03N10A
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- Trench Power MV MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJH03N10A
- 商品编号
- C2942415
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1741克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V；95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术-电压控制小信号开关-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流
商品特性
- 静电放电（ESD）防护能力高达2.0KV（人体模型HBM）
应用领域
- 电池供电系统-固态继电器-直接逻辑电平接口:TTL/CMOS