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YJL3401AQ
车规级 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.4A
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- 描述
- 采用沟槽功率低压MOSFET技术。高密度单元设计，实现低导通电阻（RDS(ON)）。高速开关。后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJL3401AQ
- 商品编号
- C2942682
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 96mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽式MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 用于实现低 RDS(on) 的高密度单元设计
- 湿度敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于降低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 高速开关
- 后缀为“Q”的产品型号表示符合AEC-Q101标准
应用领域
-电池保护-电源管理-负载开关
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