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MG200HF12TLC2
1.2kV 200A
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- 描述
- 特性：采用沟槽技术实现低VCE(sat)。 VCE(sat)具有正温度系数。 高短路能力（10μs）。 包含超快速软恢复反并联FWD。 低电感。 最高结温175℃。应用：电机驱动逆变器。 交流和直流伺服驱动放大器
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- MG200HF12TLC2
- 商品编号
- C2942694
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 311.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 200A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 400A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V@200A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@7.6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2uC | |
| 输入电容(Cies) | 12.8nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 187ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 266ns | |
| 导通损耗(Eon) | 21.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 12.9mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.5nF |
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