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2N7002KCQ
车规级 1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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- 描述
- 采用法国功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。后缀为“Q”的产品表示符合AEC-Q101标准
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002KCQ
- 商品编号
- C2942445
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
商品特性
- 漏源电压 VDS 等于 -30 V，漏极电流 ID 等于 -4.1
- 当栅源电压 VGS 等于 -10 V 时，导通状态下的漏源电阻 RDS(ON) 小于 55 mΩ
- 当栅源电压 VGS 等于 -4.5 V 时，导通状态下的漏源电阻 RDS(ON) 小于 85 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通状态下的漏源电阻 RDS(ON) 和低栅极电荷
- 获得无铅产品
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 电源管理