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YJD25N10A
1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
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- 描述
- 采用沟槽功率中压MOSFET技术。 出色的散热封装。 高密度单元设计，实现低导通电阻。 湿度敏感度等级1级。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD25N10A
- 商品编号
- C2942417
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.071nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件是一款基于MDmesh M5创新垂直工艺技术并结合知名PowerMESH水平布局的N沟道功率MOSFET。由此产生的产品具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率和卓越效率的应用。
商品特性
- VDS 100V
- ID 25A
- RDS(ON)(在 VGS = 10 V 时)< 52 mΩ
- RDS(ON)(在 VGS = 4.5 V 时)< 56 mΩ
- 100%进行EAS测试
- 100%进行 \Delta VDS 测试
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能-背光源