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YJD50N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术。出色的散热封装。用于低导通电阻的高密度单元设计
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJD50N06A
- 商品编号
- C2942414
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.49克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.585nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 高密度单元设计，实现低 RDS(on)
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
应用领域
- DC-DC转换器-电源管理功能