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YJQD25N04A
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- Trench Power LV MOSFET技术。优秀的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJQD25N04A
- 商品编号
- C2942404
- 商品封装
- DFN3333-8L-DUal
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V；14.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 917pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
G6N02L采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 100% 非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% \nabla VDS 测试
应用领域
-大电流负载应用-负载开关-硬开关和高频电路-不间断电源