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2N7002KCE
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 采用沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。湿度敏感度等级1。环氧树脂符合UL 94 V-0易燃性等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- 2N7002KCE
- 商品编号
- C2942406
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4.5V；1.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
应用领域
- PWM应用-负载开关