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YJJ05N06A
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- 沟槽功率低压MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJJ05N06A
- 商品编号
- C2942413
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.018nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
- 沟槽功率低压MOSFET技术-高功率和电流处理能力
商品特性
- 静电放电（ESD）保护高达2.0KV（人体模型HBM）
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关