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YJJD05N03A
N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 沟槽功率中压MOSFET技术 具备高功率和大电流处理能力。
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJJD05N03A
- 商品编号
- C2942396
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048767克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.08nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 314pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
WNM4014是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM4014为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 低导通电阻
- 封装形式：PDFN5X6-8L
应用领域
-PWM应用-负载开关