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YJQ13N03A
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- 采用Trench Power LV MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJQ13N03A
- 商品编号
- C2942399
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 201pF |
商品概述
WPM2092A是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2092A为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 小封装DFN1006-3L
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- DC-DC转换电路
- 电源开关
- 负载开关
- 充电