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YJA3139KA
P沟道,电流:-0.65A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJA3139KA
- 商品编号
- C2942367
- 商品封装
- DFN-3L(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 350mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 71pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WNM3400 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WNM3400 为无铅产品。
商品特性
- 静电放电(ESD)防护高达2.0KV(人体模型)
应用领域
-接口、逻辑开关-负载开关-电源管理