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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FCD7N60TM

1个N沟道 耐压:600V 电流:7A

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描述
SuperFET MOSFET 是第一代高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗,提供出色的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FCD7N60TM
商品编号
C352870
商品封装
TO-252AA​
包装方式
编带
商品毛重
0.085克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))600mΩ@10V
耗散功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th))5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)920pF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)500pF

数据手册PDF