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FCPF190N60
1个N沟道 耐压:600V 电流:20.2A
- 描述
- SuperFET II MOSFET 是全新的高电压超结 MOSFET 系列，利用先进的电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低的门极电荷。此先进 MOSFET 不但适用于最大程度降低导通损耗，而且可以实现出色的开关性能。除了这些优点之外，与传统超结 MOSFET 相比，它还能提供更高的极端 dv/dt 速率和更大的雪崩能量。SuperFET II MOSFET 适用于各种开关电源应用，有助于实现系统小型化和更高效率。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCPF190N60
- 商品编号
- C352872
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 128pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.165nF |
商品概述
SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 650 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 170 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 57 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 160 pF)
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-LCD/LED/PDP电视照明-太阳能逆变器-交流-直流电源