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NTTFS4C10NTAG
1个N沟道 耐压:30V 电流:44A
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- 描述
- 特性：低RDS(on)以最小化传导损耗。 低电容以最小化驱动损耗。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。 功率负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTTFS4C10NTAG
- 商品编号
- C352878
- 商品封装
- WDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.093克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 993pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 163pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 574pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 优化的栅极电荷，以最小化开关损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 直流-直流转换器-功率负载开关-笔记本电脑电池管理