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FQD7P20TM
1个P沟道 耐压:200V 电流:5.7A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQD7P20TM
- 商品编号
- C353858
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.085克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@160V | |
| 输入电容(Ciss) | 770pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
NCEP0112AS采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）极低，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用。
商品特性
- -5.7 A,-200 V,RDS(on) = 690 m Ω(最大值),VGS = -10 V,ID = -2.85 A
- 低栅极电荷(典型值19 nC)
- 低Crss(典型值25 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用