温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FCH072N60F

1个N沟道耐压:600V 电流:52A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: SuperFET II MOSFET 是全新的高压超结 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的卓越性能。此技术专用于最大程度降低导电损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用，如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管反向恢复性能可以消除附加组件，提高系统可靠性。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FCH072N60F
商品编号: C352884
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 6.733克(g)

商品参数

商品概述

SuperFET II MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。该技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFET II MOSFET非常适用于开关电源应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SuperFET II FRFET MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件并提高系统可靠性。

商品特性

650 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 65 mΩ
超低栅极电荷（典型Qg = 165 nC）
低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 441 pF）
100%雪崩测试
符合RoHS标准

应用领域

功率因数校正（PFC）
服务器/电信电源
平板电视电源
ATX电源
工业电源应用

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	52A
	导通电阻(RDS(on))	72mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	481W
	阈值电压(Vgs(th))	5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	215nC@10V
	输入电容(Ciss)	8.66nF
	反向传输电容(Crss)	2.5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	275pF