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1HP04CH-TL-W
1个P沟道 耐压:100V 电流:170mA
- 描述
- 这款功率 MOSFET 采用安森美半导体（ON Semiconductor）的沟槽技术制造，该技术专门用于降低栅极电荷和导通电阻。此器件适用于对栅极电荷驱动要求较低或对导通电阻要求较低的应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 1HP04CH-TL-W
- 商品编号
- C353734
- 商品封装
- TO-236AB
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.8pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用安森美半导体的沟槽技术制造，该技术专门设计用于最小化栅极电荷和降低导通电阻。该器件适用于对栅极电荷驱动要求低或对导通电阻要求低的应用。
商品特性
- 高电压(100V)
- 4V驱动
- 高速开关和低损耗
- 栅极有ESD二极管保护
- 无铅、无卤素且符合RoHS标准
应用领域
-锂离子电池充放电电芯平衡
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