温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMS4435BZ
1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 Power Trench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS4435BZ
- 商品编号
- C352873
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 385pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -9.0 A时,最大rDS(on) = 20 m Ω
- 在VGS = -4.5 V、ID = -6.5 A时,最大rDS(on) = 37 m Ω
- 扩展的VGSS范围(-25 V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 典型的HBM ESD保护等级>7 kV
- 100%进行UII测试
- 引脚无铅且符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电池电源管理-笔记本中的负载开关