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FQU5N60CTU
1个N沟道 耐压:600V 电流:2.8A
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- 描述
- 此N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU5N60CTU
- 商品编号
- C352875
- 商品封装
- TO-251-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.613克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 2.8 A、600 V，RDS（on） = 2.5 Ω（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 1.4 A
- 低栅极电荷（典型值15 nC）
- 低Crss（典型值6.5 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器