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FDMA908PZ
1个P沟道 耐压:12V 电流:12A
- 描述
- 此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET，且可针对 ESD 提供齐纳二极管保护。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA908PZ
- 商品编号
- C352879
- 商品封装
- MicroFET(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.957nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 903pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 974pF |
商品概述
该器件专为蜂窝手机及其他超便携应用中的电池充电或负载切换而设计。它采用了具有低导通电阻的MOSFET,并配备齐纳二极管以提供ESD保护。MicroFET 2X2封装在其物理尺寸下具备出色的热性能,非常适合线性模式应用。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -12 A时,最大rDS(on) = 12.5 m Ω
- 在VGS = -2.5 V、ID = -10 A时,最大rDS(on) = 18 m Ω
- 在VGS = -1.8 V、ID = -8 A时,最大rDS(on) = 28 m Ω
- 薄型设计——新型MicroFET 2x2 mm封装最大厚度为0.8 mm
- 典型HBM ESD保护等级>2.8 kV
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
-蜂窝手机-其他超便携应用-线性模式应用