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FCH76N60NF
1个N沟道 耐压:600V 电流:72.8A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FCH76N60NF
- 商品编号
- C352871
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 543W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 300nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.045nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
SupreMOS® MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻Rsp、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关功率转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。SupreMOS FRFET® MOSFET优化的体二极管反向恢复性能可减少额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 当VGS = 10 V、ID = 38 A时，RDS(on) = 28.7 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型值Qg = 230 nC）
- 低有效输出电容（典型值Coss(eff.) = 896 pF）
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 太阳能逆变器-交流-直流电源