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BSS84
1个P沟道 耐压:60V 电流:130mA
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺可将导通电阻降至最低，以提供坚固可靠的性能和快速开关。可轻松用于大多数需要高达0.13A直流电流的应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C347485
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@1mA | |
| 输入电容(Ciss) | 45pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
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