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AO3409A
1个P沟道 耐压:30V 电流:2.6A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = -30V。 ID = -2.6A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 110mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 180mΩ (VGS = -4.5V)。 可能提供无铅封装，G后缀表示无铅引脚镀层
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO3409A
- 商品编号
- C347496
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 302pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 50.3pF |