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AO3414A
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.2A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 20V。 ID = 4.2A (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 57mΩ (VGS = 1.8V)。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO3414A
- 商品编号
- C347498
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 436pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |