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AO3416A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AO3416A

1个N沟道 耐压:20V 电流:6A

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描述
特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 适用于负载开关或PWM应用。 具备ESD保护。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 33mΩ(VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 51mΩ(VGS = 1.8V)
商品型号
AO3416A
商品编号
C347499
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.4W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.1V@250uA
栅极电荷量(Qg)10nC@4.5V
输入电容(Ciss)1.295nF
反向传输电容(Crss)87pF
工作温度-40℃~+150℃
输出电容(Coss)160pF

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(3000个/圆盘,最小起订量 20 个)
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