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8205A
2个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 特性：BVDSs = 20V。 RDS(ON) ≤ 27mΩ (VGS = 4.5V, ID = 5A)。 RDS(ON) ≤ 36mΩ (VGS = 2.5V, ID = 3A)。 低栅极电荷。 快速开关能力。 高可靠性和耐用性。应用：便携式设备。 电池供电系统
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- 8205A
- 商品编号
- C351449
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@2.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 830mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 630pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源击穿电压（BVDSS） = 20 V
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 27 mΩ（栅源电压（VGS） = 4.5 V，漏极电流（ ID） = 5 A）
- 漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 36 mΩ（栅源电压（VGS） = 2.5 V，漏极电流（ ID） = 3 A）
- 低栅极电荷
- 快速开关能力
- 高可靠性和耐用性
应用领域
- 便携式设备
- 电池供电系统
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