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SI2305A
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.4A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）：-20V。 导通电阻RDS(ON) < 40mΩ（VGS = -4.5V，ID = -4.2A）。 导通电阻RDS(ON) < 50mΩ（VGS = -2.5V，ID = -3.4A）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI2305A
- 商品编号
- C347488
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 126pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
优惠活动
购买数量
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