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SI2312A
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A（VGS = 4.5V）。 RDS(ON) < 26mΩ（VGS = 4.5V）。应用：电池保护。 其他开关应用
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI2312A
- 商品编号
- C347495
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |