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SI2308A
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=60V。 ID = 3A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = 10V), ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ (VGS = 4.5V), ID = 1.9A。应用：负载电源开关。 接口开关
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI2308A
- 商品编号
- C347491
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V；95mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V
- 漏极电流（ID） = 3 A（栅源电压VGS = 10 V）
- 导通电阻RDS(ON) < 80 mΩ（VGS = 10 V，ID = 3 A）
- 导通电阻RDS(ON) < 95 mΩ（VGS = 4.5 V，ID = 1.9 A）
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换
- 超小型便携式设备电池管理