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SI2306A
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI2306A
- 商品编号
- C347489
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 555pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
SI2306A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS(V) = 30 V
- RDS(ON) = 35 mΩ（VGS = 10 V），ID = 4 A
- RDS(ON) < 50 mΩ（VGS = 4.5 V），ID = 3.5 A
应用领域
- 电池保护
- 开关应用