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BSS138
1个N沟道 耐压:50V 电流:300mA
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 50V。 ID = 300mA (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 2.5Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.5Ω (VGS = 2.5V)。 低导通电阻。 ESD等级：1.5KV HBM
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- BSS138
- 商品编号
- C347484
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V；3.5Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个3000个/圆盘
总价金额：
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