SI2302A
1个N沟道 耐压:20V 电流:3.6A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V)，ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V)，ID = 3.1A。应用：电池保护。 其他开关应用
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- SI2302A
- 商品编号
- C347483
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
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