NCE6020AI
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCE6020AI采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE6020AI
- 商品编号
- C341709
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.742克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE6020AI采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 35mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性好
- 出色的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高静电防护能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
