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NCE6020AI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE6020AI

1个N沟道 耐压:60V 电流:20A

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描述
NCE6020AI采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的 $\mathsf{R_{DS(ON)}}$。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE6020AI
商品编号
C341709
商品封装
TO-251​
包装方式
管装
商品毛重
0.742克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)45W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)25nC@10V
输入电容(Ciss)500pF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

NCE6020AI采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 20A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 35mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 40mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 具备完整的雪崩电压和电流特性
  • 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性好
  • 出色的封装,散热性能良好
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电防护能力

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF