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WSTBSS123
N沟道,电流:2.0A,耐压:100V
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 2 VGS(th)(v) 1.9 RDS(ON)(m?)@4.75V 240 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 2.3 Qgd(nC) 1.1 Ciss(pF) 152 Coss(pF) 17 Crss(pF) 10
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSTBSS123
- 商品编号
- C2906297
- 商品封装
- SOT-23N
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
650V 第一代超结 MOSFET 第一代超结 MOSFET 是根据超结原理设计的。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻 Rds(on)，可大幅降低开关和导通损耗。因此，它非常适用于 AC/DC 电源转换、笔记本电脑适配器、照明和工业电源应用。
商品特性
- 极低的品质因数 RDS(on) × Qg
- 100% 雪崩测试
- 超快体二极管
- 易于使用/驱动
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)
- 充电器