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WSTBSS123
N沟道,电流:2.0A,耐压:100V
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 2 VGS(th)(v) 1.9 RDS(ON)(m?)@4.75V 240 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 2.3 Qgd(nC) 1.1 Ciss(pF) 152 Coss(pF) 17 Crss(pF) 10
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSTBSS123
- 商品编号
- C2906297
- 商品封装
- SOT-23N
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
WSTBSS123是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSTBSS123符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
- 用于笔记本电脑(MB)、上网本(NB)、超便携个人电脑(UMPC)和显卡(VGA)的高频负载点同步小功率开关
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关