WST2304A
N沟道 耐压:30V 电流:5.2A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 12 ID(A)Max. 5.2 VGS(th)(v) 0.8 RDS(ON)(m?)@4.29V 35 Qg(nC)@4.5V 5.5 QgS(nC) 2.1 Qgd(nC) 1.5 Ciss(pF) 525 Coss(pF) 57 Crss(pF) 45
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST2304A
- 商品编号
- C2906787
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
WST2304A是一款高性能的沟槽N沟道MOSFET,具备极高的单元密度,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。 WST2304A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
-先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
-用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关-网络DC-DC电源系统-负载开关
