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WST2304A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WST2304A

N沟道 耐压:30V 电流:5.2A

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描述
Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 30 VGS(V) 12 ID(A)Max. 5.2 VGS(th)(v) 0.8 RDS(ON)(m?)@4.29V 35 Qg(nC)@4.5V 5.5 QgS(nC) 2.1 Qgd(nC) 1.5 Ciss(pF) 525 Coss(pF) 57 Crss(pF) 45
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WST2304A
商品编号
C2906787
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.034克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.2A
导通电阻(RDS(on))45mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)600pF
反向传输电容(Crss)91pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)112pF

商品概述

BL6N120是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET,可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。

商品特性

  • 快速开关
  • 低Crss
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

  • 高频开关模式电源

数据手册PDF