WST3407A
P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
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- 描述
- WST3407A是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WST3407A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全面的可靠性测试。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST3407A
- 商品编号
- C2906354
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
WST2333A是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具备极高的单元密度,能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷特性。WST2333A符合RoHS标准和绿色产品要求,并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制能力-提供绿色环保器件
应用领域
- 笔记本电脑(MB)、上网本(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步小功率开关应用
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关
