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WSF3410
N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 100 VGS(V) 20 ID(A)Max. 15 VGS(th)(v) 2 RDS(ON)(m?)@4.390V 115 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 4.9 Qgd(nC) 5.8 Ciss(pF) 940 Coss(pF) 80 Crss(pF) 50
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF3410
- 商品编号
- C2906363
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+170℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
WST3420是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WST3420符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于MB/NB/UMPC/VGA的高频负载点同步小功率开关
- 网络DC-DC电源系统
- 负载开关