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WSD2075DN33
P沟道 耐压:20V 电流:36A
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- 描述
- Configuration Dual Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -36 VGS(th)(v) -0.8 RDS(ON)(m?)@4.182V 11 Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 3.5 Qgd(nC) 5.6 Ciss(pF) 2565 Coss(pF) 260 Crss(pF) 240
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD2075DN33
- 商品编号
- C2906364
- 商品封装
- DFN-A-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.565nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品概述
HSM4435 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSM4435 符合 RoHS 和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备全面的功能可靠性认证。
商品特性
~~- 提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术