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WSF20N20G
N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- Configuration Single Type N-Ch VDS(V) 200 VGS(V) 20 ID(A)Max. 18 VGS(th)(v) 3.5 RDS(ON)(m?)@4.406V - Qg(nC)@4.5V - QgS(nC) 5.2 Qgd(nC) 18 Ciss(pF) 1317 Coss(pF) 181 Crss(pF) 76
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF20N20G
- 商品编号
- C2906366
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 181pF |
商品概述
WST2307是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST230符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关