温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSP4407A
P沟道 耐压:30V 电流:11A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -30 VGS(V) 20 ID(A)Max. -11 VGS(th)(v) -2 RDS(ON)(m?)@4.309V 15 Qg(nC)@4.5V 31 QgS(nC) 4.3 Qgd(nC) 10 Ciss(pF) 1550 Coss(pF) 315 Crss(pF) 245
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4407A
- 商品编号
- C2906360
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.655nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 345pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 425pF |
商品概述
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 出色的散热封装
- 用于低 RDS(on) 的高密度单元设计
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关