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WST3415A
P沟道,电流:-5.3A,耐压:-20V
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- 描述
- Configuration Single Type P-Ch VDS(V) -20 VGS(V) 12 ID(A)Max. -5.3 VGS(th)(v) -0.75 RDS(ON)(m?)@4.86V 58 Qg(nC)@4.5V 6.2 QgS(nC) 2.2 Qgd(nC) 1.8 Ciss(pF) 575 Coss(pF) 98 Crss(pF) 75
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WST3415A
- 商品编号
- C2906355
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 58mΩ@4.5V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 810pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WST2333B是一款高性能的沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2333B符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 静电放电(ESD)防护能力:3KV